[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200580000302.8 | 申请日： | 2005-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1774795A | 公开（公告）日： | 2006-05-17 |
| 发明（设计）人： | 柴田聪 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 从硅衬底(100)的表面到第1深度(A)为止的区域上形成非结晶层(101)。这时，非结晶·结晶界面(102)附近空穴(103)发生。接下来，通过热处理使非结晶层(101)的结晶结构从第1深度(A)到比第1深度浅的第2深度(B)为止的区域恢复。由此，从硅衬底(100)的表面到第2深度(B)为止的区域成为非结晶层(101)。这时，空穴(103)留在第1深度(A)。此后，通过离子注入在比第2深度(B)浅的第3深度(C)形成PN结(104)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征为：包括：半导体区域中从其表面到第1深度为止的区域形成非结晶层的工序；通过在所规定温度下对上述非结晶层进行热处理，在上述非结晶层中从上述第1深度到比上述第1深度浅的第2深度为止的区域恢复为结晶结构，由此使上述非结晶层退至第2深度的工序；以及通过向经过上述热处理的上述非结晶层导入离子，在比上述第2深度浅的上述第3深度形成PN结的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
