[发明专利]使用等离子体CVD制备碳膜的装置和方法以及碳膜有效
| 申请号： | 200580000352.6 | 申请日： | 2005-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1906127A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 羽场方纪 | 申请（专利权）人： | 日本大业照明株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;H01J63/06;C23C16/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈长会 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于均一制备碳膜的方法，该方法成本低且功率消耗低。该用于制备碳膜的方法包括如下步骤：将其局部上具有开口的圆柱形构件安置在真空室内的步骤；将基底安置在圆柱形构件内的步骤；将用于碳膜制备的气体引入所述真空室内的步骤；以及将用于等离子体产生的电压施加于所述圆柱形构件，由此在所述圆柱形构件内产生等离子体并通过该等离子体在所示基底表面上制备碳膜的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 等离子体 cvd 制备 装置 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种用于在基底表面上制备碳膜的装置，其包括：真空室，向其中引入用于碳膜制备的气体；和圆柱形构件，其安置在所述真空室内，在其局部上具有开口，并且其能够将基底安置于其中，其中向所述真空室中引入所述气体，并且向所述圆柱形构件中施加用于产生等离子体的电压从而在所述圆柱形构件中产生等离子体并在安置于所述圆柱形构件内的基底表面上制备出碳膜。
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