[发明专利]成膜装置无效
申请号: | 200580000376.1 | 申请日: | 2005-02-08 |
公开(公告)号: | CN1788334A | 公开(公告)日: | 2006-06-14 |
发明(设计)人: | 岩田辉夫;纲仓学;二村宗久;高桥毅 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/448;H01L21/31 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种成膜装置,包括供给液态原料的原料供给部、使液态原料汽化并生成原料气体的汽化器、导入原料气体从而在被处理基板上形成薄膜的成膜室的成膜装置。所述汽化器具备喷射从原料供给部供给的液态原料的喷雾喷嘴、具有喷雾喷嘴开口的一个端部以及封闭的另一个端部,使从喷雾喷嘴喷射的雾状的液态原料汽化并生成原料气体的汽化室、对汽化室进行加热的加热器、在喷雾喷嘴的附近朝着汽化室开口并从汽化室导出原料气体的导出口。所述汽化室的封闭的另一个端部,为了使从喷雾喷嘴喷射的液态原料发生汽化,而仅与喷雾喷嘴保持足够的距离。 | ||
搜索关键词: | 装置 | ||
【主权项】:
1.一种成膜装置,其特征在于:是一种包括供给液态原料的原料供给部、使所述液态原料汽化并生成原料气体的汽化器、和导入所述原料气体而在被处理基板上形成薄膜的成膜室的成膜装置,其中,所述汽化器包括:喷射从所述原料供给部供给的液态原料的喷雾喷嘴;具有所述喷雾喷嘴开口的一个端部以及封闭的另一个端部,使从所述喷雾喷嘴喷射的雾状的液态原料汽化并生成原料气体的汽化室;对所述汽化室进行加热的加热设备;和在所述喷雾喷嘴的附近朝着所述汽化室开口、并从所述汽化室导出原料气体的导出口,所述汽化室的封闭的另一个端部,为了使从所述喷雾喷嘴喷射的液态原料发生汽化,而与所述喷雾喷嘴仅保持足够的距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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