[发明专利]异质结构双极型晶体管有效
| 申请号： | 200580000417.7 | 申请日： | 2005-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1965398A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 小田康裕;栗岛贤二;横山春喜;小林隆 | 申请（专利权）人： | 日本电信电话株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/737 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 重掺杂了硅(Si)的n型InP副集电极层2、InP集电极层3、重掺杂了碳(C)的p型GaAs(0.51) Sb (0.49)基极层4、掺杂了Si的n型In (1－y)Al (y) P发射极层7、重掺杂了Si的n型InP盖帽层8、以及重掺杂了Si的n型In(0.53) Ga (0.47)As接触层9堆叠在InP衬底1上。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种异质结构双极型晶体管，其特征在于，形成基极层的化合物半导体的组成器件至少包含Ga、As和Sb，并且形成发射极层的化合物半导体的组成器件至少包含In、Al和P。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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