[发明专利]隔离膜的形成方法及电极膜的形成方法

摘要

在本发明中，形成氮化钨膜21后，形成硅化钨膜22，从而形成隔离膜20，在隔离膜20的表面硅化钨膜22露出，电极膜25’与该硅化钨膜22密合而形成。构成电极膜25’的导电材料与硅化钨膜22中的硅原子化学性结合，因此隔离膜20与电极膜25’的密合性高，电极膜25’难从隔离膜20剥离，另外，在退火化时难引起电极膜25’的凝聚。

主权项

1.一种隔离膜的形成方法，是将处理对象物置于真空气氛中，在上述处理对象物表面形成隔离膜的隔离膜形成方法，其具有：在上述处理对象物表面形成氮化钨膜的氮化钨膜形成工序，和在上述氮化钨膜表面形成硅化钨膜的硅化钨膜形成工序；上述硅化钨膜形成工序具有：向上述真空气氛中供给含有钨化合物气体的含钨气体后，从上述真空气氛排出上述含钨气体的钨供给工序，和向上述真空气氛中供给含有硅化合物气体的含硅气体后，从上述真空气氛排出上述含硅气体的硅供给工序。