[发明专利]栅极绝缘膜的形成方法、存储介质、计算机程序无效
| 申请号： | 200580000583.7 | 申请日： | 2005-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN1820373A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 高桥毅;下村晃司;中村源志;青山真太郎;山崎和良 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;C23C16/42;H01L21/316;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供在硅基板(1)上形成SiO2电容换算膜厚在1.45nm以下的由硅酸铪类材料构成的栅极绝缘膜(4)的方法。该方法包括：洗净硅基板(1)的表面，使其成为实质上不存在氧的清洁面的工序；通过使用酰胺类有机铪化合物和含硅原料的CVD工艺，在硅基板(1)的清洁面上形成硅酸铪膜(2)的工序；在硅酸铪膜(2)上实施氧化处理的工序；和在实施氧化处理后的硅酸铪膜(2)上实施氮化处理的工序。根据该方法，能够得到即使膜厚度薄、表面粗糙度也良好的栅极绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 绝缘 形成 方法 存储 介质 计算机 程序 | ||
【主权项】：
1.一种栅极绝缘膜的形成方法，在硅基板上形成SiO2电容换算膜厚在1.45nm以下的栅极绝缘膜，其特征在于，包括：洗净硅基板表面，使其成为实质上不存在氧的清洁面的工序；通过使用酰胺类有机铪化合物和含硅原料的CVD工艺，在所述硅基板的清洁面上形成硅酸铪膜的工序；在所述硅酸铪膜上实施氧化处理的工序；和在实施所述氧化处理后的硅酸铪膜上实施氮化处理的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580000583.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：零件输送·安装方法及其装置
- 下一篇：一种变容量热泵系统
- 同类专利
- 专利分类
