[发明专利]层积电介质的制造方法

摘要

本发明提供层积电介质的制造方法，该方法是对包含高介电常数玻璃陶瓷组合物的原料层和包含低介电常数玻璃陶瓷组合物的原料层进行层积和焙烧，前述高介电常数玻璃陶瓷组合物由无碱玻璃粉末30～70质量％和(Ti/Ba)为3.0～5.7的Ba－Ti化合物粉末30～70质量％形成，前述玻璃粉末的组成以摩尔％表示为SiO₂15～40％、B₂O₃ 5～37％、Al₂O₃ 2～1 5％、CaO+SrO 1～25％、BaO5～25％、SiO₂+Al₂O₃ 25～50摩尔％，前述低介电常数玻璃陶瓷组合物由无碱玻璃粉末30～90质量％和陶瓷粉末10～70质量％形成，该玻璃粉末中的SiO₂+Al₂O₃比前述无碱玻璃粉末的SiO₂+Al₂O₃多9摩尔％或9摩尔％以上，且大于等于34摩尔％。

主权项

1.层积电介质的制造方法，它是以低介电常数原料层为最外层、交替层积合计为奇数层的高介电常数原料层和低介电常数原料层并焙烧，制造以低介电常数层为最外层、交替层积了合计为奇数层的低介电常数层和高介电常数层的层积电介质的方法，所述高介电常数原料层含有焙烧后可形成在1GHz～25GHz的任一频率下的介电常数为16～30的高介电常数层的高介电常数玻璃陶瓷组合物，所述低介电常数原料层含有焙烧后可形成前述频率下的介电常数大于等于5且比相邻的高介电常数层的该介电常数值小3或3以上的低介电常数层的低介电常数玻璃陶瓷组合物，其中，高介电常数玻璃陶瓷组合物以质量百分率表示实质上由30～70％的玻璃粉末和30～70％的陶瓷粉末形成，是在850～900℃的任一温度下进行烧结时有结晶析出的组合物，所述玻璃粉末含有SiO2及Al2O3，SiO2+Al2O3为25～50摩尔％，含有B2O3、BaO及ZnO中的任意的1种或1种以上，不含任何的铅及碱金属；低介电常数玻璃陶瓷组合物以质量百分率表示实质上由30～90％的玻璃粉末和10～70％的陶瓷粉末形成，是在850～900℃的任一温度下进行烧结时有结晶析出的组合物，所述玻璃粉末含有SiO2及Al2O3，SiO2+Al2O3大于等于34摩尔％，不含任何的铅及碱金属；低介电常数原料层的低介电常数玻璃陶瓷组合物中的玻璃粉末中的SiO2+Al2O3减去与该低介电常数原料层相邻的高介电常数原料层的高介电常数玻璃陶瓷组合物中的玻璃粉末中的SiO2+Al2O3所得的差值大于等于9摩尔％；高介电常数原料层的高介电常数玻璃陶瓷组合物中的玻璃粉末中的B2O3+BaO+ZnO减去与该高介电常数原料层相邻的低介电常数原料层的低介电常数玻璃陶瓷组合物中的玻璃粉末中的B2O3+BaO+ZnO所得的差值大于等于30摩尔％。