[发明专利]固体摄像装置无效
申请号: | 200580000710.3 | 申请日: | 2005-07-01 |
公开(公告)号: | CN1839477A | 公开(公告)日: | 2006-09-27 |
发明(设计)人: | 太田宗吾;内田干也 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种三晶体管CMOS型固体摄像装置,包括包含相邻的第一像素230及第二像素231的多个像素,各个像素中分别设有:将光变换成信号电荷的光电二极管201;用以读出在光电二极管201所产生的信号电荷的传送用晶体管。在第一像素230中设有:一端连接在第一像素230内及第二像素231内的两个光电二极管201上,另一端接收电源电压的重置晶体管;在第二像素231中设有:具有连接在第一像素230内及第二像素231内的两个传送用晶体管上的栅极电极204,在漏极接收电源电压的放大用晶体管。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
【主权项】:
1.一种固体摄像装置,其特征在于:包括:包含相邻的第一像素和第二像素的多个像素,该各个像素分别设有:形成在衬底上、将光变换成信号电荷并累积起来的光电二极管,具有栅极电极、读出累积在所述光电二极管的所述信号电荷的传送用晶体管,以及设在所述衬底中所述传送用晶体管的栅极电极两侧区域,将经由所述传送用晶体管读出的所述信号电荷变换为电位的浮置扩散,所述第一像素还包括:具有栅极电极,一端连接在所述第一像素内和所述第二像素内的两个所述光电二极管上,另一端接收电源电压的重置晶体管;所述第二像素还包括:具有连接在所述第一像素内及所述第二像素内的两个所述传送用晶体管的栅电极上,将在所述浮置扩散所变换的电位放大的放大用晶体管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200580000710.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的