[发明专利]立式热处理装置及其使用方法无效
申请号: | 200580000806.X | 申请日: | 2005-08-24 |
公开(公告)号: | CN1842898A | 公开(公告)日: | 2006-10-04 |
发明(设计)人: | 中嵨亘;及川拓也;井上久司 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;H01L21/205;H01L21/22 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的立式热处理装置,其特征在于,包括如下部分:收容被处理体的处理容器;包围所述被处理体的周围而设置,加热所述处理容器,并具有急速冷却功能的主加热器;在所述处理容器的上部弯曲形成的排气口部;用于加热所述排气口部的辅助加热器;用于在所述主加热器急速冷却时使所述辅助加热器从所述排气口部撤开的移动装置;和用于使所述排气口部周围的环境强制排气的强制排气装置。 | ||
搜索关键词: | 立式 热处理 装置 及其 使用方法 | ||
【主权项】:
1.一种立式热处理装置,其特征在于,包括:收容被处理体的处理容器;包围所述被处理体的周围而设置的、加热所述处理容器并具有急速冷却功能的主加热器;在所述处理容器的上部弯曲形成的排气口部;用于加热所述排气口部的辅助加热器;用于在所述主加热器急速冷却时使所述辅助加热器从所述排气口部退避的移动装置;和用于使所述排气口部周围的环境强制排气的强制排气装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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