[发明专利]金属图形及其制造方法有效
| 申请号： | 200580000825.2 | 申请日： | 2005-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN1843067A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 中川徹 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H05K3/06 | 分类号： | H05K3/06;B32B9/00;B32B15/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的金属图形是在衬底表面上通过蚀刻形成的金属图形(13’)，在金属图形(13’)的金属膜表面形成含有氟代烷基链(CF3(CF2)n－：n为自然数)的被吸附的单分子膜，在构成上述单分子膜的分子间渗入具有巯基(－SH)或二硫基(－SS－)的分子，从而形成遮蔽膜(18)。该金属图形是通过如下的步骤得到：在金属膜表面形成含有氟代烷基链(CF3(CF2)n－：n为自然数)的单分子膜，在上述单分子膜的表面涂布溶解了具有巯基(－SH)或二硫基(－SS－)的分子的溶液，在构成上述单分子膜的分子间渗入具有巯基(－SH)或二硫基(－SS－)的分子，从而形成遮蔽膜，使蚀刻液与上述金属膜表面接触，对没有上述遮蔽膜的金属区域进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 图形 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底表面上通过蚀刻形成的金属图形，其特征在于，在所述金属图形的金属膜表面形成含有氟代烷基链(CF3(CF2)n-：n为自然数)的单分子膜，使构成所述单分子膜的分子间渗入具有巯基(-SH)或二硫基(-SS-)的分子，从而形成遮蔽膜。
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