[发明专利]衬底处理装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200580000900.5 | 申请日： | 2005-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1842895A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 森谷敦;井之口泰启;国井泰夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/28;H01L21/285;H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在晶片130的Si表面选择成长含Si的外延膜的热壁式衬底处理装置，该装置具有收纳晶片130的处理室108，配置在处理室108的外部、加热晶片130的加热部件101，连接处理室108的原料气体供给系统115，排气系统116；使用上述装置，与晶片130的选择成长面相对向地配置Si膜露出的部件，在晶片130上选择成长含Si的外延膜。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种衬底处理装置，是具有以下部分的热壁式衬底处理装置：收纳至少一个制品用衬底的处理室，配置在所述处理室的外部、加热所述制品用衬底的加热部件，连接所述处理室的处理气体供给系统、和排气系统；该装置在所述制品用衬底的Si表面选择成长含Si的外延膜；其中，与所述制品用衬底的选择成长面相对向地配置Si膜露出的部件，在所述制品用衬底上选择成长含Si的外延膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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