[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件中激光束的纵横比得到改进从而接近于圆。在衬底(10)上，第一导电类型的第一覆层(11)、有源层(12)、以及第二导电类型的第二覆层(17)分层形成，该第二覆层(17)部分地具有作为电流集聚结构的脊形RD。在脊形部分的第二覆层具有这样的结构，该结构包括在接近所述有源层的一侧的高带隙的第一脊形层(15)和在远离所述有源层的一侧的低带隙的第二脊形层(16)。该半导体发光器件通过用外延生长在衬底上分层形成第一覆层、有源层、以及第二导电类型的第二覆层，然后将第二覆层的一部分剪裁成脊形来制造。形成第二覆层使得第一脊形层和第二脊形层被包括在将具有脊形的部分中。

主权项

1.一种半导体发光器件，包括：衬底；第一导电类型的第一覆层，其形成在所述衬底上；有源层，其形成在所述第一覆层上；以及第二导电类型的第二覆层，其形成在所述有源层上，其部分具有作为电流窄化结构的脊形部分；其中所述第二覆层的所述脊形部分包括在接近所述有源层的一侧且具有高带隙的第一脊形层和在远离所述有源层的一侧且具有低带隙的第二脊形层。