[发明专利]电子束施加装置和描画装置有效

专利信息
申请号: 200580000963.0 申请日: 2005-07-20
公开(公告)号: CN1842887A 公开(公告)日: 2006-10-04
发明(设计)人: 宫崎武司;大井英之;小原隆 申请(专利权)人: 株式会社理光;株式会社克莱斯泰克
主分类号: H01J37/305 分类号: H01J37/305;H01J37/09;G11B9/10;H01J37/10;G21K1/087;G03F7/20
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 王冉;王景刚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开一种电子束施加装置,其包括:发射电子束的热场发射类型的电子源(12);正好设置在电子源(12)下面并且作为将由电子源在第一孔径张角中发射的电子束集聚在小于第一孔径张角的第二孔径张角中的集聚电极的静电透镜(14);设置在静电透镜(14)的下游侧上并且将由静电透镜(14)集聚在第二孔径张角中的电子束集聚在交叉点的集聚透镜;以及设置在集聚透镜(18)下游侧上并且将由集聚透镜(18)集聚在交叉点上的电子束集聚在材料(32)表面上的物镜(28)。
搜索关键词: 电子束 施加 装置 描画
【主权项】:
1、一种用于将电子束施加到材料表面从而在材料表面上记录信息的电子束施加装置,包括:发射电子束的热场发射类型的电子源;静电透镜,其正好设置在电子源的下面,作为用来将由电子源发出的在第一孔径张角中的电子束集聚在小于第一孔径张角的第二孔径张角中的集聚电极;设置在静电透镜下游侧上的集聚透镜,其将由静电透镜集聚在第二孔径张角中的电子束集聚在交叉点;以及设置在集聚透镜下游侧上的物镜,其将由集聚透镜集聚在交叉点上的电子束集聚在材料表面上。
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