[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200580000997.X | 申请日： | 2005-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1842904A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 青井信雄;中川秀夫;池田敦 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;C23C16/40;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置，包括：在衬底(1)上形成的绝缘膜(6，8)、在绝缘膜(6，8)中形成的埋入布线(14)、以及在绝缘膜(6，8)和埋入布线(14)之间形成的金属阻挡膜(Al)。金属阻挡膜(Al)由绝缘膜(6，8)所在的一侧向埋入布线(14)所在的一侧依序叠层形成的金属氧化物膜(11)、迁移层(12a)以及金属膜(13)构成；迁移层(12a)由具有金属氧化物膜(11)的组成及金属膜(13)的组成的大体中间组成的单一原子层所构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有在衬底上形成的绝缘膜、在所述绝缘膜中形成的埋入布线、以及在所述绝缘膜和所述埋入布线之间形成的金属阻挡膜，其特征在于：所述金属阻挡膜由从所述绝缘膜所在的一侧向所述埋入布线所在的一侧依序叠层的金属氧化物膜、迁移层及金属膜所构成；所述迁移层由具有所述金属氧化物膜的组成和所述金属膜的组成的大体中间组成的单一原子层所构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
