[发明专利]使用覆盖在抗蚀剂上的保护层的沉浸光刻技术和产品无效
| 申请号： | 200580001379.7 | 申请日： | 2005-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101558357A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 凯尔·帕特松;柯克·施特罗泽夫斯基 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G03F7/09 | 分类号： | G03F7/09;G03F7/11;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;黄启行 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一种沉浸光刻方法中，为光致抗蚀剂层(20)提供屏蔽层(30)以保护光致抗蚀剂层(20)不受因与浸液接触引起的降解的影响。屏蔽层(30)在曝光波长下透明，并基本不透(优选不溶于)浸液。屏蔽层(30)可由能使用与曝光后用于显影光致抗蚀剂层(20)的显影剂相同的显影剂除去的材料形成。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 覆盖 抗蚀剂上 保护层 沉浸 光刻 技术 产品 | ||
【主权项】：
1.一种沉浸光刻方法，其中使用光学曝光系统在曝光期间曝光光致抗蚀剂层，在光学曝光系统和要被曝光的光致抗蚀剂层(20)之间插入沉浸介质，曝光后，使用显影剂显影光致抗蚀剂层，其特征在于，该方法包括为光致抗蚀剂层(20)提供屏蔽层(30)以防止光致抗蚀剂层(20)和沉浸介质之间接触的步骤，所述屏蔽层在曝光波长下为透明的且不透沉浸介质。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司，未经飞思卡尔半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580001379.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
