[发明专利]半导体处理装置有效
申请号: | 200580001439.5 | 申请日: | 2005-02-04 |
公开(公告)号: | CN1906734A | 公开(公告)日: | 2007-01-31 |
发明(设计)人: | 网仓纪彦;手塚一幸;实吉梨沙子 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/205 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种半导体处理装置(1),包括连接到公用搬运室(8)上的、用于对被处理基板(W)实施处理的多个处理室(2)。附设用于向各处理室(2)供给规定气体的气体供给系统(40)。气体供给系统(40)具有连接到规定气体源上的初级侧连接单元(23)和流量控制单元(13)。初级侧连接单元(23)配置在对应的处理室(2)的下侧。流量控制单元(13)配设到从初级侧连接单元(23)向对应的处理室(2)内供给气体的气体管道上。流量控制单元(13)被配置成至少一部分要重叠到初级侧连接单元(23)的上侧。 | ||
搜索关键词: | 半导体 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体处理装置,其特征在于,包括:公用搬运室;连接到所述公用搬运室上的、用于对被处理基板实施处理的多个处理室;配设在所述公用搬运室内的、用于向所述处理室搬运所述被处理基板的搬运机构;和每个都附设在所述多个处理室上的、用于供给规定气体的多个气体供给系统,其中,所述多个气体供给系统中的各个都包括:连接到所述规定气体的气体源上的初级侧连接单元,所述初级侧连接单元被配置在对应的处理室的下侧;配设在从所述初级侧连接单元向所述对应的处理室内供给气体的气体管道上的、用于控制所述规定气体的流量的流量控制单元,所述流量控制单元被配置成使得至少一部分重叠到所述初级侧连接单元的上侧;和覆所述流量控制单元的气体箱,所述气体箱为了对所述流量控制单元进行操作而具有可装卸的机罩。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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