[发明专利]半导体器件中减少氧化引入缺陷的应变补偿结构无效
| 申请号： | 200580001466.2 | 申请日： | 2005-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1998116A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 阿施史·唐顿;迈克尔·霍华德·利里;迈克尔·赖奈·梯·泰恩;英－兰·昌 | 申请（专利权）人： | 安捷伦科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王怡 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种应变补偿结构(112)，包括与氧化物形成层(106)相邻的应变补偿层(104)。应变补偿层(104)补偿由于至少部分氧化物形成层(106)氧化所引起的晶格参数的变化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 减少 氧化 引入 缺陷 应变 补偿 结构 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件(200)，包括：有源区(212)，被构造成响应注入的电荷产生光；电流限制结构(248)，被定位成引导电荷进入所述有源区域(212)中，其包括与氧化物形成层(106)相邻的应变补偿层(104)。
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