[发明专利]有机电子器件有效
| 申请号： | 200580001543.4 | 申请日： | 2005-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN1906777A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 姜旼秀;孙世焕;崔贤;张俊起;全相映;金渊焕;尹锡喜;韩荣圭 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/50;H01L51/42;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱梅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在用于空穴注入或空穴引出的电极中具有n－型有机化合物层的电子器件。该器件包括用于注入或引出空穴的第一电极，该第一电极包括导电层和位于导电层上的n－型有机化合物层；用于注入或引出电子的第二电极；位于导电层和第二电极之间的p－型有机化合物层。p－型有机化合物层在n－型有机化合物层和p－型有机化合物层之间形成NP结。n－型有机化合物层的最低未占据分子轨道(LUMO)能级与导电层的费米能级之间的能级差约为2eV或更小，并且n－型有机化合物层的LUMO能级与p－型有机化合物层的最高未占据分子轨道(HOMO)能级之间的能级差约为1eV或更小。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 电子器件 | ||
【主权项】：
1、一种电子器件，包括：用于注入或引出空穴的第一电极，该第一电极包括导电层和位于导电层上的n-型有机化合物层；用于注入或引出电子的第二电极；和位于第一电极的导电层和第二电极之间的p-型有机化合物层，该p-型有机化合物层在第一电极的n-型有机化合物层和p-型有机化合物层之间形成NP结，其中，第一电极的n-型有机化合物层的最低未占据分子轨道(LUMO)能级与第一电极的导电层的费米能级之间的能级差大约为2eV或更小；并且其中，第一电极的n-型有机化合物层的LUMO能级与p-型有机化合物层的最高未占据分子轨道(HOMO)能级之间的能级差大约为1eV或更小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG化学株式会社，未经LG化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580001543.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：冷阴极灯管的灯芯焊接构造
- 下一篇：组合物和输递系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
