[发明专利]磁传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200580001595.1 | 申请日： | 2005-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN1906466A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 野口直之;百濑正吾;有贺英吉;竹村政夫 | 申请（专利权）人： | 日本电产三协株式会社 |
| 主分类号： | G01D5/245 | 分类号： | G01D5/245;G01R33/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁传感器，使磁传感器动作时为了提高识别精度，使用多个磁阻薄膜，但是为了防止这些磁阻薄膜的间隔狭窄化引起的配置自由度的下降，可以灵活地调整磁阻元件之间的间隔同时在不造成制造上的困难的程度上增加消除各高次谐波的磁阻元件的个数，而且能够谋求热性能的均匀化并且提高识别精度。所述磁传感器，具有磁阻薄膜形成在基板上的磁阻图案，该磁阻图案由输出相位相差90°的两个信号的A相磁阻图案和B相磁阻图案构成，其中，所述磁阻图案是将两个基板组合形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁传感器，具有磁阻薄膜形成在基板上的磁阻图案，该磁阻图案由输出相位相差90°的两个信号的A相磁阻图案和B相磁阻图案构成，其特征在于，将两个基板组合形成所述磁阻图案。
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