[发明专利]半导体激光器装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200580001659.8 | 申请日： | 2005-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1906819A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 长谷川义晃;模川俊哉;矢岛浩义 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体激光器装置，具备：半导体激光器芯片(1)，其发射激光；主体(3、4)，其支撑半导体激光器芯片(1)；多个端子电极(7)，其被插入到设于主体(3、4)的贯通孔，用于对半导体激光器芯片进行供电；以及封盖(5)，其具有透射激光的光学窗(6)，并且以覆盖半导体激光器芯片(1的方式固接于主体(3、4)。该装置中，在主体(3、4)和端子电极(7)之间具备绝缘玻璃(8)，当被加热到700℃以上850℃以下的温度时不会放出氟化硅气体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体激光器装置，其中，具备：半导体激光器芯片，其发射激光；主体，其支撑所述半导体激光器芯片；多个端子电极，其被插入到设于所述主体的贯通孔，用于对所述半导体激光器芯片进行供电；封盖，其具有透射所述激光的光学窗，并且以覆盖所述半导体激光器芯片的方式固接于所述主体；以及绝缘玻璃，其被设于所述主体和所述端子电极之间，当所述绝缘玻璃被加热到700℃以上850℃以下的温度时放出的氟化硅气体的总量，为1.0μg以下。
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