[发明专利]晶片加热器组件无效
申请号: | 200580001783.4 | 申请日: | 2005-02-01 |
公开(公告)号: | CN101023197A | 公开(公告)日: | 2007-08-22 |
发明(设计)人: | 大卫·L·欧梅拉;格利特·J·莱乌辛克;斯蒂芬·H·卡巴尔;安东尼·迪朴;考利·瓦吉达;雷蒙德·乔 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王怡 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明描述了一种用在单晶片处理系统中、具有独特的加热器元件的晶片加热组件。加热单元包括嵌入在石英护套中的碳导线元件。加热单元与石英一样不受污染,其可以允许直接接触晶片。碳“导线”或“编织”结构的机械柔韧性允许线圈构造,这允许在晶片上进行独立加热器区域控制。晶片上多个独立加热器区域允许温度梯度能够调节膜生长/沉积均匀性并且允许快速的热调节,因而具有优于传统单晶片系统的膜均匀性,使晶片的翘曲最小甚至没有。低的热质量允许快速的热响应,这使得能够进行脉冲或数字热处理,而形成层接层膜,得到改进的薄膜控制。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加热器 组件 | ||
【主权项】:
1.一种晶片加热组件,包括:具有多个凹部的保持装置,所述保持装置具有构造成支持晶片的晶片支撑体;多个加热单元,其中,至少一个加热单元包括:具有碳导线加热器的管,所述碳导线加热器包括碳纤维束,并且密封在所述管内,每一个所述管安装在所述保持装置的凹部中,结合到所述碳导线加热器相对端的连接端子;安装组件,所述安装组件结合到所述保持装置,并且构造成将所述晶片加热组件安装到处理室。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的