[发明专利]半导体制造方法及半导体装置

摘要

本发明的半导体装置的制造方法包括：准备基板的工序(A)，该基板具备具有主面的半导体层，并具有在主面区分为多个元件有效区域(50、60)的分离区域(70)内形成的元件分离结构(STI)基板；在半导体层的主面的多个元件有效区域(50、60)中被选择的元件有效区域(50)上生长含有Si和Ge的外延层的工序(B)；以及多个元件有效区域(50、60)中，在形成外延层的元件有效区域(50)以及在每个未形成外延层的元件有效区域(A2)上，形成晶体管工序(C)。工序(A)包括在分离区域(70)内形成被元件分离结构(STI)包围的多个虚拟区域80的工序(a1)，工序(B)包括在多个虚拟区域(80)中被选择的区域上生长有与外延层相同的材料构成的层的工序(b1)。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，包括：准备基板的工序(A)，该基板具备具有主面的半导体层，并具有元件分离结构，该元件分离结构形成在用于将上述主面划分为多个元件有效区域的分离区域内；在上述半导体层主面的上述多个元件有效区域中被选择的元件有效区域上生长含有Si和Ge或者Si和C的外延层的工序(B)；以及上述多个元件有效区域中，在形成了上述外延层的元件有效区域以及在每个未形成上述外延层的元件有效区域上，形成场效应型晶体管的工序(C)，上述工序(A)，包括在上述分离区域内形成被上述元件分离结构包围的多个虚拟区域的工序(a1)，上述工序(B)，包括在上述多个虚拟区域中的被选择的区域上，生长有与上述外延层相同材料构成的层的工序(b1)。