[发明专利]用于低－K的互连结构的柔顺的钝化边缘密封有效
| 申请号： | 200580001962.8 | 申请日： | 2005-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN1926681A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·埃德尔斯坦;李·M.·尼科尔森 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34;H01L23/29;H01L23/12;H01L23/053 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了芯片或芯片封装的结构，具有机械上去耦但电耦合到芯片上的多层互连的最终钝化层和端子冶金。这种去耦使芯片可以经受得住在最终钝化区中的封装应力，应变从其中的去耦区和柔顺的引线消除，因此芯片上的互连层面不会感受到外部的封装或其它的应力。这种结构特别适合于由Cu和低－k的电介质构成的芯片上互连，该低－k的电介质相对于SiO2具有更差的机械特性。去耦区在晶片上的所有芯片上延伸。它也可以延伸进封边或者切割沟槽区以允许芯片切割和在晶片上的每个芯片周围这种机械去耦特性的保持。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 互连 结构 柔顺 钝化 边缘 密封 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片，包括：衬底；制造在所说的衬底上的多个集成电路；设置在所说的集成电路中的相邻集成电路之间的切割沟槽，所说的沟槽暴露所说的集成电路的侧壁；设置在所说的集成电路的顶部表面和侧壁上的第一电介质材料层；和设置在所说的第一电介质材料层上的至少一种第二电介质材料的至少一层，其中所说的第一电介质材料具有比所说的第二电介质材料大至少大约10倍的Gc值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580001962.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
