[发明专利]包括半导体纳米管的垂直场效应晶体管

摘要

提供了具有由至少一个半导体纳米管限定的沟道区域的垂直场效应晶体管以及利用由间隙壁限定的通道通过化学气相沉积来制造这样的垂直场效应晶体管的方法。通过位于限定在间隙壁和栅电极之间的高深宽比通道基部的催化剂垫所催化的化学气相沉积来生长每个纳米管。每个纳米管在所述通道中以由间隙壁的限制性存在所约束的垂直取向生长。可以在远离所述通道开口的间隙壁的基部中设置间隙。通过所述间隙流到催化剂垫的反应物参与了纳米管的生长。

主权项

1.一种垂直半导体器件结构，包括：限定基本水平的面的衬底；从所述衬底垂直突出并包括垂直侧壁的栅电极；在所述垂直侧壁侧面的间隙壁；半导体纳米管，所述半导体纳米管位于所述栅电极和所述间隙壁之间并在相对的第一和第二端之间以基本垂直的取向延伸；设置在所述纳米管和所述栅电极之间的所述垂直侧壁上的栅极电介质；与所述纳米管的所述第一端电耦合的源极；以及与所述纳米管的所述第二端电耦合的漏极。