[发明专利]用于改进的LED光输出的方法和结构无效
申请号: | 200580002094.5 | 申请日: | 2005-09-28 |
公开(公告)号: | CN1910755A | 公开(公告)日: | 2007-02-07 |
发明(设计)人: | S·D·莱斯特 | 申请(专利权)人: | 阿瓦戈科技ECBUIP(新加坡)股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 程天正;梁永 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 通过结合多个有源串联的、由隧道结分隔开的二极管,提高了LED的效率。这还允许LED工作在更长的波长上。 | ||
搜索关键词: | 用于 改进 led 输出 方法 结构 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管结构(200),包括:衬底(210);以及在所述衬底上形成的多个层结构(297,299),所述多个层结构中的每一个包括隧道结(225,245)和由一对覆层(215,224,230,240)围绕的量子阱有源区域(220,235),所述多个层结构(297,299)相对于所述衬底(210)被安排在垂直堆叠中,这样所述多个层结构中的第一个(297)最靠近所述衬底并且所述多个层结构中的另一个(299)最远离所述衬底(200)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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