[发明专利]半导体装置的制造方法以及成膜系统无效
| 申请号： | 200580002360.4 | 申请日： | 2005-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN1910746A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 小林保男;西泽贤一;龟嶋隆季;松冈孝明 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法成膜系统，在基板上形成由CF构成的绝缘膜(91)。在该绝缘膜(91)上形成含有SiCN膜(93)的保护层。在该保护层上，利用含有碳和氧的活性种的等离子体，形成由SiCO构成的硬掩膜用的薄膜(94)。当形成保护层时，利用含有硅和碳的活性种的等离子体，在绝缘膜(91)上形成SiC膜(92)，利用含有硅、碳和氮的活性种的等离子体，在SiC膜(92)上形成SiCN膜(93)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 系统 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成由加氟的碳所构成的绝缘膜的工序；在所述绝缘膜上形成含有加氮的碳化硅膜构成的保护层的工序；以及利用含有硅、碳和氧的活性种的等离子体，在所述保护层上形成由加氧的碳化硅构成硬掩模用的薄膜的工序。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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