[发明专利]低偏移带隙电压参考有效
| 申请号： | 200580002389.2 | 申请日： | 2005-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN1947079A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 斯特凡·玛林卡 | 申请（专利权）人： | 模拟装置公司 |
| 主分类号： | G05F3/30 | 分类号： | G05F3/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种带隙电压参考电路，该电路适合于提供无需放大的足够大值的ΔVbe，因此不增益任何偏移贡献。使用三对晶体管的堆叠设置，本发明减少了对电路内多个电阻器的要求，因此能够将由于电阻器匹配和值的误差最小化。提供了用于减少电压曲率的内部提供的电路，结果是提供了具有低偏移灵敏度和曲率校正的电路。 | ||
| 搜索关键词： | 偏移 电压 参考 | ||
【主权项】：
1.一种带隙电压参考电路，包括具有第一和第二输入节点且在其输出处提供参考电压的放大器，所述电路附加地包括至少两对晶体管，每一对具有适合于在与该对的第二晶体管的电流密度不同的电流密度工作的第一晶体管，使得在使用中生成在每一配对的两个晶体管之间的基极射极电压差ΔVbe，而且其中这些对如此设置，使得在耦合到所述第一输入节点的链中提供那些具有第一电流密度的晶体管，且在耦合到所述第二输入节点的链中提供那些具有第二电流密度的晶体管，由每一配对所提供的ΔVbe的组合贡献于在所述放大器的输出处的增强ΔVbe，该增强ΔVbe在所述放大器的输出处提供的电阻器上生成。
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