[发明专利]集成光子器件有效
| 申请号： | 200580002711.1 | 申请日： | 2005-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN1910735A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | A·A·贝法;M·R·格林;A·T·谢里默尔 | 申请（专利权）人： | 宾奥普迪克斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 集成于单个芯片(20)的相应外延层上的激光器(22)和检测器(24)与片载和/或外部光学器件(62)协作以将所述激光器发出的第一波长的光耦合到单个外部器件，诸如光纤(60)，并同时将从所述外部器件接收的不同波长的光耦合到检测器以提供双向光子操作。多个激光器和检测器可集成于该芯片上以提供多个双向通道。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 光子 器件 | ||
【主权项】：
1.一种光子器件，包括：基片；所述基片上的相互重叠的至少第一和第二外延结构；在所述第一外延结构中制造的至少第一蚀刻面光子元件；以及在所述第二外延结构中制造的至少第二光子元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
