[发明专利]晶体管制造有效
| 申请号： | 200580002933.3 | 申请日： | 2005-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1910756A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | J·M·香农;C·格拉塞;S·D·布拉泽顿 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/417;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王庆海;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 描述了一种制造源－栅控晶体管的方法，其中在衬底(2)上提供栅极(4)，随后提供栅绝缘体(6)和半导体层(8)。使用栅极(4)作为掩模，通过使用光致抗蚀剂(12)和穿过衬底(2)的背面照明，来构图该层以使源极和栅极(4)相对准。源极和漏极之间的间距也可使用间隔物技术来自对准。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造源-栅控晶体管的方法，包括：(a)提供透明衬底(2)；(b)沉积栅层，并构图该栅层以形成栅极(4)；(c)沉积栅绝缘层(6)；(d)沉积薄膜半导体层(8)；(e)沉积与半导体层(8)限定了势垒的源层(18)，使用栅极(4)作掩模，使用穿过衬底的背面曝光步骤以限定源层(18)和半导体层(8)之间的势垒。
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