[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200580003156.4 | 申请日： | 2005-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1914736A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 铃木健二;郑基市;大久保和哉 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;H01L21/285;H01L29/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种包括半导体基板(1)、在该基板上形成的栅极绝缘膜(例如栅极氧化膜)(2)、和在该绝缘膜上形成的栅极电极(3)的半导体装置。栅极电极(3)具有金属化合物膜(3a)。该金属化合物膜(3a)通过使用含有金属羰基的原料(例如W(CO) 6气体)、以及含有Si的气体和含有N的气体中的至少一种的CVD而形成。这样形成的金属化合物膜(3a)可利用其Si和/或N的含量来控制其功函数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板；在该基板上形成的栅极绝缘膜；和具有在该绝缘膜上形成的金属化合物膜的栅极电极，其中，所述栅极电极的金属化合物膜通过使用含有金属羰基的原料、以及含有Si的原料、含有N的原料和含有C的原料中的至少一种的CVD形成，含有所述金属羰基中的金属、以及Si、N和C中的至少一种。
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