[发明专利]苝n－型半导体和相关器件有效
| 申请号： | 200580003181.2 | 申请日： | 2005-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN1980791A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | T·J·马克斯;M·R·瓦谢莱夫斯基;A·法切蒂;M·J·阿伦斯;B·A·琼斯;尹明汉 | 申请（专利权）人： | 西北大学 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;H01J1/62;H01L29/08;H01B1/00;H01B1/02;B05D5/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 范征 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用吸电子基团进行N－取代和母核取代的单－和二酰亚胺苝和萘化合物，用于制造多种器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 相关 器件 | ||
【主权项】：
1.一种n-型半导体化合物，其结构式选自：![]()
和![]()
其中，A-H和K-L各独立地选自H、吸电子取代基和含有吸电子取代基的片段，A-H和K-L中的至少一个选自所述取代基和所述片段中的一个；I和J独立地选自H、烷基、取代的烷基、环烷基、取代的环烷基、芳基和取代的芳基片段。
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