[发明专利]电器、半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200580003270.7 | 申请日： | 2005-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1914552A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 前川慎志;山崎舜平;小路博信 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368;G02F1/1343;G09F9/00;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786;H05B33/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;刘宗杰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在目前情形中，在制造过程大量使用了旋转涂敷的薄膜制备方法。随着将来基板尺寸的增大，使用旋转涂敷的薄膜制备方法在批量生产方面具有不利的方面，因为用于旋转大尺寸基板的机械装置变大并存在大量的材料溶液损耗或废液。根据本发明，在半导体装置制造过程中，通过小滴释放选择性地释放光敏导电材料溶液，选择性地曝光于激光等，并进行显影，由此可以实现精微导电图形。因为缩短了图形化过程并可减小导电图形制备过程中使用的材料量，本发明可以大幅减小成本。因此，本发明可以应用于制造大尺寸基板。 | ||
| 搜索关键词： | 电器 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：通过小滴释放将包含光敏材料的导电材料释放到基板的绝缘表面上，形成第一导电薄膜图形；选择性地将该第一导电薄膜图形曝光于激光；以及通过显影被曝光的第一导电薄膜图形而形成第二导电薄膜图形。
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