[发明专利]用于各种刻蚀和光刻集成方案的无定型碳的使用技术无效
| 申请号： | 200580003299.5 | 申请日： | 2005-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN1914715A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 伟·刘;吉姆·中义·何;桑－H·安;梅华·沈;海澈姆·穆萨德;温迪·H·叶;克里斯多佛·D·本彻尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/033;H01L21/027;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种刻蚀衬底的方法。该刻蚀衬底的方法包括使用衬底上的经两次图案化的无定型碳层作为硬掩模将图案转移到衬底中。可选地，在图案被转移到衬底中之前，非碳基层被沉积无定型碳层上作为覆盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 各种 刻蚀 光刻 集成 方案 定型 使用 技术 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀衬底的方法，包括：在所述衬底上沉积无定型碳层；在所述无定型碳层中定义第一图案；在所述无定型碳层上沉积一层光刻胶；图案化所述光刻胶；将所述光刻胶中的所述图案转移穿过所述无定型碳层，以在所述无定型碳层中形成第二图案；以及将所述无定型碳层中的所述第一和第二图案转移穿过所述衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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