[发明专利]基板处理装置的处理室净化方法、基板处理装置和基板处理方法有效
| 申请号： | 200580003402.6 | 申请日： | 2005-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN1914716A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 石塚修一;佐佐木胜;高桥哲朗;前川浩治 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 每次净化在处理室内容纳被处理基板，对所述被处理基板实施规定的处理的基板处理装置的处理室时，交替实施在处理室内形成包含氧元素的气体的等离子体的工序和在处理室内形成包含氮元素的气体的等离子体的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 净化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置的处理室净化方法，在处理室内容纳被处理基板，并对所述被处理基板实施规定的处理，其特征在于：使得在所述处理室内形成包含氧的气体的等离子体的工序和在所述处理室内形成包含氮的气体的等离子体的工序交替实施至少一个循环。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
