[发明专利]抛光装置和衬底处理装置有效
| 申请号： | 200580003567.3 | 申请日： | 2005-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1914711A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 本乡明久;伊藤贤也;山口健二;中西正行 | 申请（专利权）人： | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B9/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种抛光装置，所述抛光装置用于消除衬底的外围部分处产生的表面粗糙度，或者用于去除形成于衬底的外围部分上的膜。所述抛光装置包括：外壳(3)，其用于在其中形成抛光室(2)；旋转台(1)，其用于保持和旋转衬底(W)；抛光带供应机构(6)，其用于将抛光带(5)供应到抛光室(2)中并且收回已经供应至抛光室(2)的抛光带(5)；抛光头(35)，其用于将抛光带(5)压在衬底(W)的倾斜部分上；液体供应装置(50)，其用于将液体供应至衬底(W)的前表面和后表面上；以及调节机构(16)，其用于使抛光室(2)的内部压力被设置为低于抛光室(2)的外部压力。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 装置 衬底 处理 | ||
【主权项】：
1、一种抛光装置，包括：外壳，其用于在其中形成抛光室；旋转台，其用于保持和旋转衬底，所述旋转台设置在所述抛光室内部；抛光带供应机构，其用于将抛光带供应至所述抛光室并且收回已经供应至所述抛光室的所述抛光带；抛光头，其用于将所述抛光带压在该衬底的倾斜部分上；液体供应装置，其用于将液体供应至该衬底的前表面和后表面上；以及调节机构，其用于使所述抛光室的内部压力被设置为低于所述抛光室的外部压力；其中，所述抛光带供应机构设置在所述抛光室外部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
