[发明专利]具有作用区的半导体结构

摘要

本发明涉及一种具有作用区的半导体结构，如发光二极管或者光电二极管(10、16、24、26、36、46、54、68、74、80)，它包括一个具有至少两个作用区(AZ1－AZn)的基底(SUB)，其中每个作用区发出或吸收不同波长的光线。为了实现多波长二极管，第一(下部)作用区(AZ1)在基底(SUB)的表面上生长，其中一个或者多个其它作用区(AZ1－AZn)上下依次取向附生地生长，并且其中作用区(AZ1－AZn)通过作为低欧姆电阻的隧道二极管(TD1－TDn)从下部作用区(AZ1)直到上部作用区(AZn)进行串联。

主权项

1.具有作用区的半导体结构，如发光二极管或者光电二极管(10、16、24、26、36、46、54、68、74、80)，它包括具有至少两个作用区(AZ1-AZn)的基底(SUB)，其中每个作用区发出或吸收不同波长的辐射，其中第一(下部)作用区(AZ1)在基底(SUB)的表面上生长，其中至少另一个(上部)作用区(AZ1-AZn)取向附生地生长，并且作用区(AZ1-AZn)通过至少一个作为低欧姆电阻的分离层(TD1-TDn)从下部的作用区(AZ1)直到上部作用区(AZn)进行串联，其中分离层(TD1-TDn)是隔离二极管或者隧道二极管形式的反极性np结或者pn结，其特征在于：半导体结构(10、16、24、26、36、46、54、68、74、80)是发出或者吸收确定多的光波长的多波长二极管，在下部作用区(AZ1)和上部作用区(AZn)之间取向附生地生长一个或者多个另外的作用区(AZn)，最下部的作用区(AZ1)具有微小的能带间隙，其中接下去的作用区(AZ2-AZn)分别具有比前面的作用区更高的能带间隙，并且用于生长或者取向附生隔离二极管或者隧道二极管(TD)的半导体材料或者具有一个间接的带结，或者具有分别略高于其下使用的半导体材料的能带间隙。