[发明专利]垂直纳米管半导体器件结构及其形成方法有效
申请号: | 200580003688.8 | 申请日: | 2005-01-13 |
公开(公告)号: | CN1914746A | 公开(公告)日: | 2007-02-14 |
发明(设计)人: | 古川俊治;马克·C·哈凯;史蒂文·J·霍姆斯;戴维·V·霍拉克;查尔斯·W·科伯格第三 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/40;H01L51/00;B82B3/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张波 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及包括至少一个纳米管的垂直器件结构以及用于通过化学气相沉积制造这样的器件结构的方法。每个纳米管通过利用催化剂垫催化的化学气相沉积生长并被包在电介质材料的涂层内。垂直场效应晶体管可以通过在被包住的纳米管周围形成栅极电极使得被包住的纳米管穿过所述栅极电极的厚度垂直延伸而形成。可以形成电容器,其中被包住的纳米管和支承所述被包住的纳米管的相应催化剂垫形成一个电容器板。 | ||
搜索关键词: | 垂直 纳米 半导体器件 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种垂直半导体器件结构,包括:衬底,其定义基本水平的平面;栅极电极,其从所述衬底垂直突出;至少一个半导体纳米管,其在相对的第一和第二端之间穿过所述栅极电极垂直延伸;栅极电介质,其使所述至少一个半导体纳米管与所述栅极电极电绝缘;源极,其与所述至少一个半导体纳米管的所述第一端电耦接;以及漏极,其与所述至少一个半导体纳米管的所述第二端电耦接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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