[发明专利]烷氧基金属化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法无效
| 申请号： | 200580004018.8 | 申请日： | 2005-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1914150A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 佐藤宏树;樱井淳 | 申请（专利权）人： | 株式会社艾迪科 |
| 主分类号： | C07C215/08 | 分类号： | C07C215/08;C23C16/40;H01L21/316;C07F7/00;C07F7/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的烷氧基金属化合物以下述通式(1)表示，其适用于例如CVD法等的使化合物气化而形成薄膜的方法中所使用的薄膜形成用原料。此外，本发明的薄膜形成用原料含有该烷氧基金属化合物，本发明的薄膜的制造方法是将含有使该薄膜形成用原料气化而得到的烷氧基金属化合物的蒸汽引入到基材上，使蒸汽分解和/或进行化学反应而在基材上形成薄膜，式中，R1和R2中的之一表示碳原子数为1～4的烷基，另一个表示氢原子或者碳原子数为1～4的烷基，R3和R4表示碳原子数为1～4的烷基，A表示碳原子数为1～8的亚烷基，M表示硅原子或者铪原子，n表示4。 | ||
| 搜索关键词： | 基金 化合物 薄膜 形成 原料 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、以下述通式(1)表示的烷氧基金属化合物，![]()
式中，R1和R2中的之一表示碳原子数为1～4的烷基，另一个表示氢原子或者碳原子数为1～4的烷基，R3和R4表示碳原子数为1～4的烷基，A表示碳原子数为1～8的亚烷基，M表示硅原子或者铪原子，n表示4。
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