[发明专利]采用局部绝缘体上半导体制作半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200580004047.4 | 申请日： | 2005-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN1914718A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 马瑞斯·K.·奥罗斯基;奥拉姆本弥·O·艾德图图;亚历山大·L.·巴尔 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/36 | 分类号： | H01L21/36;H01L21/469;H01L21/473;H01L21/4757 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 从体硅衬底(12)开始制作一种绝缘体上半导体晶体管(45)。有源区被限制在衬底(12)中，且单晶的富氧硅层形成于有源区的最顶层上。硅外延层生长在富氧硅层上。硅外延层形成后，富氧硅层转变成氧化硅(24)，同时至少一部分的外延层作为单晶硅残存。这是通过采用外延层高温水蒸气处理而实现。结果是一种应用于制作晶体管(45)的绝缘体上硅结构。在这种结构中，栅介质(26)位于残存的单晶硅上，栅(28)位于栅介质上，而且沟道位于栅(28)下面的残存的单晶硅中。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 局部 绝缘体 上半 导体 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种方法，包括：提供具有有源区的衬底，该有源区具有顶部表面；在顶部表面上形成第一层，其中第一层包括富氧半导体材料层；在第一层上外延生长第二层，其中第二层包括半导体材料层；以及将第一层转变成半导体-氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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