[发明专利]具有隔离晶体管的共射共基CMOS射频功率放大器无效
| 申请号： | 200580004146.2 | 申请日： | 2005-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1918786A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | O·彼特森;A·利特文 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H03F1/22 | 分类号： | H03F1/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;陈景峻 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种共射共基射频功率放大器，包括形成在共同衬底上的至少两个级联MOS晶体管(T1，T2，Tn)，其中所述晶体管(T1，T2，Tn)的体节点(B1，B2，Bn)彼此隔离并且与每个晶体管的相应源极(S1，S2，Sn)连接。本发明还教导了最上面晶体管(Tn)的漏极(Dn)通过电感负载(Ld)与电源(vdd)连接，并且使每个上部晶体管(T2、Tn)的栅极(G2、Gn)配备有至少连接在各上部晶体管(T2、Tn)的漏极(D2、Dn)和栅极(G2、Gn)之间的自偏置电路(SB2，SBn)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隔离 晶体管 共射共基 cmos 射频 功率放大器 | ||
【主权项】：
1、共射共基射频功率放大器，包括形成在共同衬底上的至少两个级联MOS晶体管，其特征在于所述晶体管的体节点彼此隔离并且与每个晶体管的相应源极连接，最上面晶体管的漏极通过电感负载与电源连接，并且每个上部晶体管的栅极配备有至少连接在相应上部晶体管的漏极和栅极之间的自偏置电路。
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