[发明专利]带有自掺杂触点的埋入触点太阳能电池无效
| 申请号： | 200580004156.6 | 申请日： | 2005-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN1981376A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | J·吉;P·哈克 | 申请（专利权）人： | 日出能源公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种埋入触点太阳能电池，加工过程中的埋入触点太阳能电池的组件以及制备埋入触点太阳能电池的方法，其中自掺杂触点材料放置在多个埋入触点表面凹槽内。通过结合凹槽掺杂和金属化的步骤，所得太阳能电池对于制造来说更简单且更经济。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 掺杂 触点 埋入 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备太阳能电池的方法，所述方法包括如下步骤：在电池衬底内划割至少一个凹槽；将自掺杂触点材料放置在所述凹槽内；以及加热自掺杂触点材料，由此同时掺杂和金属化所述凹槽。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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