[发明专利]发光型晶体管无效
| 申请号： | 200580004369.9 | 申请日： | 2005-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1918948A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 多田博一;坂上知 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | H05B33/14 | 分类号： | H05B33/14;H01S3/16;H05B33/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种作为具有开关功能的发光元件之发光型晶体管(LEFET)，可得到充分的发光强度，发光效率高。在漏极电极(25)的材料中使用铝，在源极电极(24)的材料中使用金。通过向源极电极(24)－漏极电极(25)之间施加电压，分别从源极电极(24)向发光体层(26)中注入空穴，从漏极电极(25)向发光体层(26)中注入电子。空穴与电子再结合，使发光体层(26)发光。发光的ON/OFF由栅极电压的ON/OFF来控制。与以前在漏极电极中使用金相反，在本发明中，通过使用功函数比金小的铝，可以较低的电压向发光体层(26)中注入较多的电子。因此，提高发光强度和发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种发光型晶体管，其特征在于，具有：a)在表面形成了绝缘膜的栅极电极；b)第1源极·漏极电极，其配置于所述绝缘膜上，由功函数为4.26V以下的电子注入材料构成；c)第2源极·漏极电极，其离开所述第1源极·漏极电极，同样配置于所述绝缘膜上，由功函数比4.26V大的空穴注入材料构成；和d)发光体层，其设置在所述第1源极·漏极电极与所述第2源极·漏极之间的所述绝缘膜上，由有机半导体构成。
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