[发明专利]用于保护半导体集成电路的电路装置和方法有效
| 申请号： | 200580004950.0 | 申请日： | 2005-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1918707A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | B·多伊奇曼;B·方克豪瑟;M·迈尔霍弗;P·乔杰基 | 申请（专利权）人： | 奥地利微系统股份公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘春元;魏军 |
| 地址： | 奥地利温特*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 建议了用于保护半导体集成电路的电路装置和方法，所述电路装置包含带有晶闸管结构(SCR)的保护电路以及用于控制所述保护电路的控制电路(TC；C1、R1、I1至I3)，它们两者都被接在待保护的器件(PV、LV)与基准电位(VB)之间，其中控制电路(TC；C1、R1、I1至I3)产生多个控制信号，所述控制信号分别控制晶闸管结构的有源器件(T1、T2)。由此，实现在所定义的开关阈值和短导通时间的条件下有针对性地触发保护电路。此外，还建议了确定控制电路的激活的持续时间的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 保护 半导体 集成电路 电路 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.用于保护半导体集成电路的电路装置，具有-保护电路，所述保护电路包含晶闸管结构且接在待保护的器件与基准电位之间，和-用于控制所述保护电路的控制电路，其特征在于，所述控制电路(TC；C1、R1、I1至I3)产生多个控制信号，所述控制信号分别控制保护电路(SCR)的有源器件(T1、T2)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
