[发明专利]双极发光场效应晶体管有效

专利信息
申请号: 200580005000.X 申请日: 2005-01-17
公开(公告)号: CN1918724A 公开(公告)日: 2007-02-21
发明(设计)人: J·佐迈塞尔;H·西林豪斯;蔡丽丽;P·K-H·何;R·H·弗兰德 申请(专利权)人: 剑桥大学技术服务有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 任宗华
地址: 英国*** 国省代码: 英国;GB
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摘要: 双极、发光晶体管,其包括与通过限定晶体管的沟道长度的距离L隔开的电子注入电极和空穴注入电极接触的有机半导体层,其中光从中发射的有机半导体层的区域离电子以及空穴注入电极二者的距离大于L/10。
搜索关键词: 发光 场效应 晶体管
【主权项】:
1.一种发光场效应晶体管,其包括具有电子亲合性EA半导体的有机半导体层;和与半导体层形成界面的有机栅介质层;其特征在于,在栅介质层内捕获基团的本体浓度小于1018cm-3,其中捕获基团是具有(i)电子亲合性EAx大于或等于EA半导体和/或(ii)反应性电子亲合性EArxn大于或等于(EA半导体-2eV)的基团,当在偏置状况下操作时,所述基团能发光,在所述偏置状况下,负电子从电子注入电极注入到有机半导体层内,和正空穴从空穴注入电极注入到有机半导体层内。
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