[发明专利]半导体纳米导线及包括该纳米导线的半导体装置有效
| 申请号： | 200580005184.X | 申请日： | 2005-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1922720A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 斋藤彻;川岛孝启 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的纳米导线(100)，包括多个接触区域(10a、10b)和与多个接触区域(10a、10b)连接的至少一个沟道区域(12)。沟道区域(12)由第1半导体材料形成，沟道区域(12)的表面由在沟道区域(12)上选择性地形成的绝缘层覆盖。多个接触区域(10a、10b)分别由与所述沟道区域(12)的第1半导体材料不同的第2半导体材料形成。接触区域(12)的至少表面具有导电部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 纳米 导线 包括 装置 | ||
【主权项】：
1.一种纳米导线，包含多个接触区域、和与所述多个接触区域连接的至少一个沟道区域，所述沟道区域由第1半导体材料形成，而且所述沟道区域的表面由在所述沟道区域上选择性地形成的绝缘层覆盖，所述多个接触区域分别由与所述沟道区域的所述第1半导体材料不同的第2半导体材料形成，所述接触区域的至少表面具有导电部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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