[发明专利]氮化合物系半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200580005185.4 | 申请日： | 2005-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1922772A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 岛本敏孝;川口靖利;长谷川义晃;石桥明彦;木户口勋;横川俊哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/22;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的氮化合物系半导体装置具备支承于具有导电性的基板构造物101的半导体叠层构造物。基板构造物101的主面具有：作为氮化合物系半导体的纵向生长的晶种而起作用的至少1个纵向生长区域；及使在所述纵向生长区域上生长的氮化合物半导体的横向生长成为可能的多个横向生长区域。在设定由箭头A表示的纵向生长区域的尺寸的总和为∑X，该方向的多个横向生长区域的尺寸的总和为∑Y时，∑X/∑Y＞1.0的关系成立。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 合物系 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化合物系半导体装置，其包括具有导电性的基板构造物、及被所述基板构造物支承的半导体叠层构造物，所述基板构造物的主面具有作为氮化合物系半导体的纵向生长的晶种而起作用的至少1个纵向生长区域、及使在所述纵向生长区域上生长的氮化合物半导体的横向生长成为可能的多个横向生长区域，在设定与所述基板构造物的主面平行的第1方向上的所述纵向生长区域的尺寸的总和为∑X，所述第1方向上的所述多个横向生长区域的尺寸的总和为∑Y时，∑X/∑Y＞1.0的关系成立。
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