[发明专利]聚合物稳定的晶体阴阳离子膜及其制备方法和应用无效
申请号: | 200580005206.2 | 申请日: | 2005-02-14 |
公开(公告)号: | CN1938079A | 公开(公告)日: | 2007-03-28 |
发明(设计)人: | 莫妮克·迪布瓦;托马·泽比 | 申请(专利权)人: | 原子能总署 |
主分类号: | B01J13/10 | 分类号: | B01J13/10 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 吴小瑛 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明涉及整齐的固体双分子层形式的晶化阴阳离子膜,包括横向交替的带H+反离子的阴离子表面活性剂和共晶化的带OH-反离子的阳离子表面活性剂,其中摩尔分数(MF):阴离子表面活性剂的摩尔量(QAS)/(阴离子表面活性剂的摩尔量(QAS)+阳离子表面活性剂的摩尔量(QCS))大于0.5。所述膜形成至少局部平整的表面,而且所述双分子层被至少一种聚合物稳定,该聚合物是中性而且疏水的,或者其总电荷与阴阳离子膜的有效电荷相反,该聚合物被吸附在上述表面上。本发明还涉及该膜的制备方法和应用,例如,运载活性物质或通过吸附而保留挥发性分子的药物。 | ||
搜索关键词: | 聚合物 稳定 晶体 阴阳 离子 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.整齐的固体双分子层形式的阴阳离子膜,其包括横向交替的带H+ 反离子的阴离子表面活性剂和带共晶化的OH-反离子的阳离子表面活性剂,其中摩尔分数(MF):阴离子表面活性剂的摩尔量(QAS)/(阴离子表面活性剂的摩尔量(QAS)+阳离子表面活性剂的摩尔量(QCS))大于0.5,所述膜形成至少局部平整的表面,其特征在于所述双分子层被至少一种聚合物稳定,该聚合物是中性而且疏水的,或者聚合物总电荷与阴阳离子膜的有效电荷相反,该聚合物被吸附在上述表面上。
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