[发明专利]改进的电致发光稳定性

摘要

提供有机发光器件。该器件具有阳极，阴极，和置于阳极和阴极之间的发射层。该发射层进一步包括具有以下结构的发射材料，其中M是具有大于40的原子量的金属；R₃′是选自烷基，杂烷基，芳基，杂芳基和芳烷基中的取代基，其中R₃′任选地被一个或多个取代基Z取代；R₅是选自芳基和杂芳基中的取代基，其中该芳基或杂芳基是未被取代的或任选地被一个或多个非芳族基团取代；环A是具有至少一个配位到金属M上的氮原子的芳族杂环或稠合芳族杂环，其中环A能够任选被一个或多个取代基Z取代；R₃是选自H，烷基，烯基，炔基，烷基芳基，CN，CF₃，C_nF_2n+1，三氟乙烯基，CO₂R，C(O)R，NR₂，OR，卤素，芳基，杂芳基，取代的芳基，取代的杂芳基或杂环基团中的取代基；R₄是选自H，烷基，烯基，炔基，烷基芳基，CN，CF₃，C_nF_2n+1，三氟乙烯基，CO₂R，C(O)R，NR₂，NO₂，OR，卤素，芳基，杂芳基，取代的芳基，取代的杂芳基或杂环基团中的取代基；另外或做为选择地，R₃和R₄一起独立地形成稠合的4－到7－元环状基团，其中该环状基团是环烷基，杂环烷基，芳基或杂芳基；和其中该环状基团任选被一个或多个取代基Z取代；R₆是选自H，烷基，烯基，炔基，烷基芳基，CN，CF₃，C_nF_2n+1，三氟乙烯基，CO₂R，C(O)R，NR₂，NO₂，OR，卤素，芳基，杂芳基，取代的芳基，取代的杂芳基或杂环基团中的取代基；此外，R₃′和R₆可以被选自－CR₂－CR₂－，－CR＝CR－，－CR₂－，－O－，－NR－CR₂－和－N＝CR－中的基团所桥接；各R独立地是H，烷基，烯基，炔基，杂烷基，芳基，杂芳基，或芳烷基；其中R任选被一个或多个取代基Z取代；各Z独立地是卤素，R′，O－R′，N(R′)₂，SR′，C(O)R′，C(O)R′，C(O)N(R′)₂，CN，NO₂，SO₂，SOR′，SO₂R′，或SO₃R′；各R′独立地是H，烷基，全卤代烷基，烯基，炔基，杂烷基，芳基，或杂芳基；(X－Y)是辅助配体；m是从1到可以连接到金属上的配体的最大数目之间的值；以及m+n是可以连接到金属上的配体的最大数目。还可以提供发射材料本身。该发射材料当被引入到发光器件中时可具有改进的效率和稳定性。另外，本发明的器件显示出改进的量子效率。

主权项

1.具有以下结构的化合物：其中M是具有大于40的原子量的金属；R₃′是选自烷基，杂烷基，芳基，杂芳基和芳烷基中的取代基，其中R₃′任选地被一个或多个取代基Z取代；R₅是选自芳基和杂芳基中的取代基，其中该芳基或杂芳基是未被取代的或任选地被一个或多个非芳族基团取代；环A是具有至少一个配位到金属M上的氮原子的芳族杂环或稠合芳族杂环，其中环A能够任选被一个或多个取代基Z取代；R₃是选自H，烷基，烯基，炔基，烷基芳基，CN，CF₃，C_nF_2n+1，三氟乙烯基，CO₂R，C(O)R，NR₂，NO₂，OR，卤素，芳基，杂芳基，取代的芳基，取代的杂芳基或杂环基团中的取代基；R₄是选自H，烷基，烯基，炔基，烷基芳基，CN，CF₃，C_nF_2n+1，三氟乙烯基，CO₂R，C(O)R，NR₂，NO₂，OR，卤素，芳基，杂芳基，取代的芳基，取代的杂芳基或杂环基团中的取代基；另外或做为选择地，R₃和R₄一起独立地形成稠合的4-到7-元环状基团，其中该环状基团是环烷基，杂环烷基，芳基或杂芳基；和其中该环状基团任选被一个或多个取代基Z取代；R₆是选自H，烷基，烯基，炔基，烷基芳基，CN，CF₃，C_nF_2n+1，三氟乙烯基，CO₂R，C(O)R，NR₂，NO₂，OR，卤素，芳基，杂芳基，取代的芳基，取代的杂芳基或杂环基团中的取代基；此外，R₃′和R₆可以被选自-CR₂-CR₂-，-CR＝CR-，-CR₂-，-O-，-NR-，-O-CR₂-，-NR-CR₂-和-N＝CR-中的基团所桥接；各R独立地是H，烷基，烯基，炔基，杂烷基，芳基，杂芳基，或芳烷基；其中R任选被一个或多个取代基Z取代；各Z独立地是卤素，R′，O-R′，N(R′)₂，SR′，C(O)R′，C(O)OR′，C(O)N(R′)₂，CN，NO₂，SO₂，SOR′，SO₂R′，或SO₃R′；各R′独立地是H，烷基，全卤代烷基，烯基，炔基，杂烷基，芳基，或杂芳基；(X-Y)是辅助配体；m是从1到可以连接到金属上的配体的最大数目之间的值；以及m+n是可以连接到金属上的配体的最大数目。