[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200580005460.2 | 申请日： | 2005-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1922721A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;大力浩二 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G06K19/07;G06K19/077;G06K19/10;G11C17/12;H01L21/20;H01L27/10;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明旨在提供一种达到高机械强度而不缩小电路规模并且能够在降低成本的同时防止数据被伪造和非法更改的半导体器件。本发明公开了一种以从包括具有高结晶度的第一区和结晶度低于第一区的第二区的半导体薄膜形成的ID芯片为代表的半导体器件。具体地，通过使用第一区形成要求高速操作的电路的TFT(薄膜晶体管)，并通过使用第二区形成用于识别ROM的存储元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：集成电路，包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；以及电连接到所述集成电路的天线，其中，所述第二薄膜晶体管的源极区和漏极区之一连接到所述第二薄膜晶体管的栅电极，其中，所述第一薄膜晶体管是由半导体膜的第一区形成的，其中，所述第二薄膜晶体管是由半导体膜的第二区形成的，以及其中，所述第一区的结晶度高于所述第二区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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