[发明专利]具有不对称电荷陷获的多态存储器单元有效
| 申请号： | 200580005600.6 | 申请日： | 2005-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN1922737A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | K·普劳尔 | 申请（专利权）人： | 微米技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/788 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种多态NAND存储器单元由基片中的两个漏极/源极区构成。在漏极/源极区之间所述基片之上形成氧化物－氮化物－氧化物结构。氮化物层用作不对称电荷陷获层。控制和栅极位于该氧化物－氮化物－氧化物结构上。漏极/源极区上的不对称偏压使得漏极/源极区具有更高的电压以通过栅极感应漏极泄漏注入至基本邻近于漏极/源极区的陷获层而注入不对称分布空穴。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 不对称 电荷 存储器 单元 | ||
【主权项】：
1.一种多态NAND存储器单元，包括：包括第一导电材料的基片；所述基片内的第一和第二有源区，所述第一和第二有源区由第二导电材料构成；所述第一和第二有源区之上和之间的控制栅极；以及所述控制栅极和基片之间的陷获层，使得所述陷获层通过第一介电层与所述控制栅极隔离并通过第二介电层与所述基片隔离，其中所述陷获层能响应于第一和第二有源区的不对称偏压而进行邻近于第一有源区的第一数据位和邻近于第二有源区的第二数据位的不对称地电荷陷获。
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